专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]糖苷香气物质的提取方法及猕猴桃酒的制备方法-CN201911036604.0在审
  • 樊明涛;赵宁;戚一曼;张杰 - 西北农林科技大学
  • 2019-10-29 - 2020-02-21 - C11B9/00
  • 本发明公开了糖苷香气物质的提取方法及猕猴桃酒的制备方法。所公开的糖苷香气物质的提取方法是以猕猴桃皮或皮渣为提取原料。所公开的猕猴桃酒的制备方法包括以带皮猕猴桃为原料榨取果汁,之后对去渣的果汁依次进行酶解、发酵、过滤,所得滤液为原酒,接着在原酒中添加糖苷香气物质提取液,后经在15‑20℃条件下进行避光陈酿,所述糖苷香气物质提取液为本发明所述方法提取的糖苷香气物质提取液本发明以猕猴桃加工副产物皮渣为原料提取糖苷香气物质并对其进行利用,在提高猕猴桃酒品质特性的同时,可增加副产物利用率,提高猕猴桃附加值。
  • 糖苷键合态香气物质提取方法猕猴桃制备
  • [发明专利]一种香气物质的除杂纯化方法-CN202010115778.2有效
  • 孙玉敬;彭伟;徐清清;刘苗苗 - 浙江工业大学
  • 2020-02-25 - 2022-10-18 - G01N30/06
  • 本发明公开了一种香气物质的除杂纯化方法,该方法包括:将汁液加入至吸附树脂中进行洗脱,得到粗品I;将粗品I进行萃取,得到油状的粗品II;将粗品II浸泡于乙醇中,浸泡结束后,振荡浸泡后的溶液,再进行膜过滤,获得的水相经减压旋蒸,得到香气物质精品。本发明方法先通过吸附树脂和萃取步骤去除汁液中的游离香气物质,再对粗品进行乙醇浸泡、振荡和膜过滤,可以打破果胶类、油状物等杂质对香气物质的包裹,得到的精品在保证香气物质含量不受影响的情况下,有效去除果胶类、油状物等杂质,确保后续定量分析时香气物质的测量稳定性,降低定量分析误差。
  • 一种键合态香气物质纯化方法
  • [发明专利]一种图形化金凸块的制作工艺-CN201310058369.3无效
  • 余家良 - 江苏汇成光电有限公司
  • 2013-02-25 - 2013-05-22 - H01L21/60
  • 本发明公开一种图形化金凸块的制作工艺,包括以下步骤:提供一集成电路晶片,所述集成电路晶片上设有块,所述块的一部分嵌入集成电路晶片;在集成电路晶片表面形成钝保护层,块上的钝保护层只去除一部分,块上的钝保护层的图形依据所需金凸块的外形来确定;在钝保护层和块上沉淀金属层;在金属层上形成光刻胶层,给光刻胶层开口,光刻胶层的开口位置正对块上的金属层;在块上的金属层上形成金凸块;
  • 一种图形化金凸块制作工艺
  • [发明专利]TiAl单晶及其扩散工艺方法-CN202211655012.9在审
  • 李鹏;邢智斌;孔令为;舒予;田永君 - 燕山大学
  • 2022-12-22 - 2023-04-07 - C30B33/06
  • 本发明公开了TiAl单晶及其扩散工艺方法。对焊缝处进行EBSD等试验表征,结果表明:焊接之前将TiAl单晶待焊面表面粗糙度降低至200nm以下,压力在10~50MPa之间,焊接温度在950~1250℃之间,保温时间为1~10h时TiAl单晶样品焊率在90%以上,实现了有效扩散;在10~30MPa压力下,焊接温度在1050~1150℃之间,保温时间为3~10h时焊缝处无再结晶生成,完全通过原子之间直接,进一步优化实现了TiAl单晶的无再结晶原子级扩散,焊率高达95%以上。本发明操作方法简单、节能环保、可批量进行压焊,从而得到大尺寸TiAl单晶。
  • 键合态tial及其扩散工艺方法
  • [发明专利]含饱和三环配体的金属配合物及烯烃聚合方法-CN97196700.8无效
  • P·N·尼奇阿斯;大洞康嗣;T·J·马克思 - 陶氏化学公司;西北大学
  • 1997-08-01 - 1999-08-18 - C08F4/642
  • 适用作烯烃聚合催化剂组分的桥连的第4族金属配合物,它对应于下式L1ZL2MXmX’n,或其二聚体、溶剂化加合物、螯衍生物或上述的混合物,其中L1为部分饱和的三环基团,特别是八氢芴基,L2为通过离域π-电子与M的取代的环戊二烯基,所述环戊二烯基在且仅在其两个远端位置之一被庞大的配体基团取代;Z为二价桥连取代基;每次出现的X为最多40个非氢原子的一价阴离子部分,可选地两个X基可通过共价彼此键形成有两个与M的化合价的二价阴离子部分,还可选地两个X基可通过共价彼此键形成通过离域π-电子与M的中性共轭或非共轭二烯(此时M处于十2氧化),或者还可选地一或多个X和一或多个X’基可彼此键形成通过共价与M合并与之配位的部分;m为1或2且等于M的氧化减2,但当两个X基一起形成与Mπ-的中性共轭或非共轭二烯时,m等于M的氧化;X’为最多20个非氢原子的中性配体,和n为0至3的数。
  • 饱和三环配体金属配合烯烃聚合方法
  • [发明专利]镀金银钯合金单晶丝及其制造方法-CN201410019815.4在审
  • 徐云管;李湘平;彭庶瑶;梁建华 - 江西蓝微电子科技有限公司
  • 2014-01-17 - 2015-02-25 - H01L23/49
  • 镀金银钯合金单晶丝及其制造方法,涉及微电子后道封装工序用金属丝及其制造方法。组成丝的材料各成分为:金、钯、铜、钙、铍、铕、镧、其余为银,之和等于100%。依次采用以下步骤制成:①提取高纯银;②制备成银合金铸锭;③连铸成铸银钯合金单晶母线;④粗拔;⑤热处理;⑥表面镀金;⑦精拔;⑧热处理;⑨表面清洗;⑩分卷。本发明所述镀金银钯合金单晶丝是一种具有黄金类丝的优点、又具有银基类丝的优点、且价格相对低廉的一种新型丝。该丝价格比较低廉、电气性能优异、抗氧化性能好、性能稳定可靠。
  • 镀金合金单晶键合丝及其制造方法
  • [发明专利]一种微流控芯片模内溶剂的制备方法-CN202010642199.3有效
  • 蒋炳炎;李湘林;周明勇 - 中南大学
  • 2020-07-06 - 2022-07-22 - B01L3/00
  • 本发明公开了一种微流控芯片模内溶剂的制备方法,包括如下步骤:将微流控芯片的基片和盖片同时注塑成型并开模,然后使基片和盖片的面精密对准;以环己烷和异丙醇的混合液作为溶剂,通过雾化喷涂的方式将溶剂均匀喷涂在所述基片和/或盖片的面表面;喷涂完成后,将基片和盖片的面贴合,并提供压力使基片和盖片进行完成后脱模,即得。本发明采用模内集成溶剂技术,有效降低芯片的温度至芯片玻璃温度30℃以下,提高了模内芯片的质量,强度可超过1Mpa,微通道变形量控制在10%以内,且操作简单,可实现微流控芯片高效率、高质量
  • 一种微流控芯片溶剂制备方法

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